安徽工業大學電氣信息學院導師:周郁明

發布時間:2021-11-22 編輯:考研派小莉 推薦訪問:
安徽工業大學電氣信息學院導師:周郁明

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安徽工業大學電氣信息學院導師:周郁明 正文


姓名: 周郁明
導師情況:碩導
學歷:博士
職稱:副教授
郵編:243032

個人基本信息:
周郁明,湖北武漢人,1971年5月出生,分別于2004年和2007年畢業于華中科技大學微電子學與固體電子學專業,獲工學碩士和工學博士學位。2007年作為引進人才進入湖南大學物理與微電子科學學院工作,同年底進入湖南大學電氣工程博士后流動站工作,2010年8月調入安徽工業大學電氣信息學院,2013年獲國家留學基金委全額資助赴美國奧本大學訪學一年。作為主要研究人員參與了包括國家自然科學基金重點項目在內的多項課題,主持完成一項湖南省自然科學基金項目,目前在研一項國家自然科學基金面上項目。以第一作者身份已在《Plasma Science and Technology》、《Chinese Physics B》、《電工技術學報》等刊物上發表10余篇論文(其中SCI收錄4篇,EI收錄8篇)。目前感興趣的研究領域包括:(1)新型功率半導體器件及其應用技術;(2)功率器件與功率集成電路;(3)高頻高功率電源技術。

科研論文及成果:
[1]周郁明.釩補償度對SiC光導開關特性影響的研究.電子科技大學學報(自然科學版),2012.41(6):937-940.
[2]Zhou Yuming,Aijin Jin.Effects of Vanadium-compensated Concentration on the Electrical Characteristics of SiC Photoconductive Switches.IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference,2012,6.
[3]Zhou Yuming,He Yigang.Effect of grain boundary on electric performance of ZnO nanowire transistor with a wrap-around gate.Journal of Central South University of Technology,2011,18(4):1009-1012.
[4]Zhou Yuming,He Yigang.Effect of grain boundary on the characteristics of poly-Si MIS photodetector.International Journal of Modern Physics B,2011,18(4):2403-2410.
[5]Zhou Yuming,He Yigang.Simulation of grain boundary effect on characteristics of ZnO thin film transistor by considering the location and orientation of grain boundary.Chinese Physics B,2009,18(9):3966-3969.
[6]周郁明,何怡剛.短脈沖作用下磁開關的磁場分析.高電壓技術,2009,35(5):1118-1121.
[7]周郁明,何怡剛.一種自積分Rogowski線圈波形畸變校正方法的研究.湖南大學學報,2008,35(8):43-45.
[8]Zhou Yuming,Yu Yuehui.A High Power Semiconductor Switch RSD for Pulsed Power Appications.Plasma Science and Technology,2007,9(5):622-625.
[9]周郁明,余岳輝.一種高壓RSD開關觸發方法設計.電工技術學報,2007,22(10):113-116.
[10]周郁明,余岳輝.高壓RSD開關諧振觸發仿真研究.高電壓技術,2007,33(6):33-36.
[11]周郁明,余岳輝.超高速大電流半導體開關實驗研究.強激光與粒子束,2006,18(3):447-450.
[12]Zhou Yuming,Yu Yuehui.Turn-on Condition and Characteristics of High Power Semiconductor Switch RSD.IEEE 5th International Power Electronics and Motion Control Conference,2006,8,Vol.2.

在研項目:
[1]國家自然科學基金面上項目:高功率4H SiC光導開關超高耐壓形成方法研究,主持,編號51177003,起止時間:2012.1-2015.12,經費:65萬元。

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