大連理工大學土木工程學院導師：裴華富 正文

[導師姓名]
裴華富

[所屬院校]
大連理工大學

[基本信息]
導師姓名：裴華富
性別：男
人氣指數：2231
所屬院校：大連理工大學
所屬院系：土木工程學院
職稱：副教授
導師類型：碩導/博導
招生專業：巖土工程

[通訊方式]
辦公電話：04118470
電子郵件：huafupei@dlut.edu.cn

[個人簡述]
1994年7月至今，在大連理工大學物理學院工作，為大連理工大學三束材料改性教育部重點實驗室固定研究人員。作為主要參與者，參加了大連理工常州研究院有限公司和大連理工大學三束材料改性教育部重點實驗室聯合申請的常州市重大公共技術服務平臺—“材料表面工程技術與裝備創新服務平臺”建設。
1994年和2000年作為主要參與者，先后完成了兩代電子回旋共振-等離子體增強金屬有機物化學氣相沉積（ECR-PEMOCVD）設備的設計和建造工作；2007年1月至6月作為項目負責人為北京一公司設計建造了ECR-PEMOCVD設備，并提供了氮化硅薄膜的室溫沉積工藝。
2005年1月至2007年12月作為項目負責人完成了兩項國家自然基金項目和一項遼寧省教育廳項目。1996年今，作為主要參加者還參與了氮化鎵（GaN）基半導體材料PEMOCVD低溫生長方面的五項國家自然科學基金項目、一項國家八六三項目（No.715-011-0033）和一項國家重大基礎研究（973）專項項目等,在ECR-PEMOCVD設備的設計制造、GaN薄膜的低溫生長及光電特性研究方面有扎實的理論基礎和豐富的實踐經驗。
主持或參加科研項目及人才計劃項目情況（按時間倒序排序）：
1、國家自然科學基金面上項目，61474013、SiCMOS器件界面缺陷及其鈍化研究、2015/01-2018/12、79萬元、在研、參加。
2、國家自然科學基金面上項目，51102034、GaN納米線陣列的晶體缺陷控制及其光學特性、2012/01-2014/12、25萬元、已結題、參加。
3、國家自然科學基金主任基金，61040058、AlN/自持金剛石厚膜結構高頻聲表面波濾波器的研制、2011/01-2011/12、10萬元、已結題、參加。
4、國家自然科學基金面上項目，60976006、摻錳InGaN稀磁與中間帶半導體薄膜的制備與特性、2010/01-2010/12、10萬元、已結題、主持。
5、國家自然科學基金面上項目，60476008、GaN基稀磁半導體量子點的自組織生長與特性、2004/01-2006/12、24萬元、已結題、主持。
6、國家自然科學基金面上項目，69976008、自組裝GaN量子點結構的ECR-PAMOCVD生長與特性、2000/01-2002/12、15.3萬元、已結題、參加。
7、國家863項目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基藍綠光激光材料的ECR等離子體輔助低溫生長、1997/01-2000/12、60萬元、已結題、參加。
8、國家自然科學基金面上項目，69576003、GaN膜的ECR等離子體輔助MOCVD生長與特性研究、1996/01-1998/12、11.5萬元、已結題、參加。
近年來發表的研究論文：
[1]QinFuWen,ZhongMiaomiao,LiuYuemei,WangHui,BianJiming,WangChong,ZhaoYue,ZhangDong,LiQinming.Growthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousCu/glasssubstrateswithlow-temperatureECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics，2014，25（2）：969-973。
[2]QinFuwen,ZhongMiaomiao,WangChong,LiuYuemei,BianJiming,WangEnping,WangHui,ZhangDong.DepositionandcharacteristicsofGaNfilmsonNimetalsubstratebyECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24（12）：5069-5074
[3]QinFuwen,ZhangDong,BaiYizhen,JuZhenhe,LiShuangmei,LiYucai,PangJiaqi,BianJiming.Depositionandpropertiesofhighlyc-orientedofInNfilmsonsapphiresubstrateswithECR-plasma-enhancedMOCVD，RareMetals，2012，31（2）：150-153。
[4]LiuYuemei,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,ZhaoYue,WangEnping,WangShuai,ZhongMiaomiao,JuZhenhe.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedGaNfilmsonCucoatedglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2013,368：92-96
[5]DuanZhongwei,QinFuwen,LinGuoqiang,BianJiming,ZhangDong,WangEnping.EffectoftemperatureonGaNfilmsdepositedongraphitesubstratesatlow-temperature，AppliedSurfaceScience,2013,280：909-913
[6]WangEnping,BianJiming,QinFuwen,ZhangDong,LiuYuemei,ZhaoYue,DuanZhongwei,WangShuai.EffectofTMGafluxonGaNfilmsdepositedonTicoatedonglasssubstratesatlowtemperature,ChineseScienceBulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7]ZhaoYue,QinFuwen,BaiYizhen,JuZhenhe,ZhaoYan,ZhangXiaohui,LiShuangmei,ZhangDong,BianJiming,LiYang.LowtemperaturesynthesisofGaNfilmsonITOsubstratesby
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8]LiuW.F.,LuoY.L.,SangY.C.,BianJ.M.,ZhaoY.,LiuY.H.,QinFuwen.AdjustedsurfaceworkfunctionofInNfilmsannealedatvacuumandathigh-pressureN-2conditions，Materials
Letters,2013,95：135-138。
[9]ZhangDong,QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD，DiamondandRelatedMaterials,2012,21：88-91
[10]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[11]ZhangDong，QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD,DiamondandRelatedMaterials,2012,21（0）：88-91。
[12]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[13]LiuBingbing,WangDejun,QinFuwen.EnhancedTiC-SiCOhmiccontactsbyECRhydrogenplasmapretreatmentandlow-temperaturepost-annealing,AppliedSurfaceScience,2015,355（20）：59-63
[14]Zhong,M.M.,QinFuwen,LiuY.M.,WangC.,BianJ.M.,WangE.P.,WangH.,ZhangD.,Low-temperaturegrowthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousNi/glasssubstrateswithECR-PEMOCVD，JournalofAlloysandCompounds，2014，583：39-42
[15]ZhuQiaozhi,QinFuwen,LiWenbo，WangDejun.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterfacewithelectroncyclotronresonancemicrowavenitrogenplasmapost-oxidationannealing,PhysicaB:CondensedMatter,2014,432：89-95
授權發明專利
[1]秦福文，林國強，劉勤華，金屬基片垂直GaN基LED芯片及其制備方法，2014.12.17，中國，ZL201210247142.9。
[2]秦福文，林國強，劉勤華，采用金屬基片制備垂直GaN基LED芯片的設備，2014.12.17，中國，ZL201210247144.8。

[科研工作]
作為主要參與者，參加了大連理工常州研究院有限公司和大連理工大學三束材料改性教育部重點實驗室聯合申請的常州市重大公共技術服務平臺—“材料表面工程技術與裝備創新服務平臺”建設。
1994年和2000年作為主要參與者，先后完成了兩代電子回旋共振-等離子體增強金屬有機物化學氣相沉積（ECR-PEMOCVD）設備的設計和建造工作；2007年1月至6月作為項目負責人為北京一公司設計建造了ECR-PEMOCVD設備，并提供了氮化硅薄膜的室溫沉積工藝。
2005年1月至2007年12月作為項目負責人完成了兩項國家自然基金項目和一項遼寧省教育廳項目。1996年今，作為主要參加者還參與了氮化鎵（GaN）基半導體材料PEMOCVD低溫生長方面的五項國家自然科學基金項目、一項國家八六三項目（No.715-011-0033）和一項國家重大基礎研究（973）專項項目等,在ECR-PEMOCVD設備的設計制造、GaN薄膜的低溫生長及光電特性研究方面有扎實的理論基礎和豐富的實踐經驗。
主持或參加科研項目及人才計劃項目情況（按時間倒序排序）：
1、國家自然科學基金面上項目，61474013、SiCMOS器件界面缺陷及其鈍化研究、2015/01-2018/12、79萬元、在研、參加。
2、國家自然科學基金面上項目，51102034、GaN納米線陣列的晶體缺陷控制及其光學特性、2012/01-2014/12、25萬元、已結題、參加。
3、國家自然科學基金主任基金，61040058、AlN/自持金剛石厚膜結構高頻聲表面波濾波器的研制、2011/01-2011/12、10萬元、已結題、參加。
4、國家自然科學基金面上項目，60976006、摻錳InGaN稀磁與中間帶半導體薄膜的制備與特性、2010/01-2010/12、10萬元、已結題、主持。
5、國家自然科學基金面上項目，60476008、GaN基稀磁半導體量子點的自組織生長與特性、2004/01-2006/12、24萬元、已結題、主持。
6、國家自然科學基金面上項目，69976008、自組裝GaN量子點結構的ECR-PAMOCVD生長與特性、2000/01-2002/12、15.3萬元、已結題、參加。
7、國家863項目，863-715-011-0033，立方GaN及GaN基藍綠光激光材料的ECR等離子體輔助低溫生長、1997/01-2000/12、60萬元、已結題、參加。
8、國家自然科學基金面上項目，69576003、GaN膜的ECR等離子體輔助MOCVD生長與特性研究、1996/01-1998/12、11.5萬元、已結題、參加。
近年來發表的研究論文：
[1]QinFuWen,ZhongMiaomiao,LiuYuemei,WangHui,BianJiming,WangChong,ZhaoYue,ZhangDong,LiQinming.Growthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousCu/glasssubstrateswithlow-temperatureECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics，2014，25（2）：969-973。
[2]QinFuwen,ZhongMiaomiao,WangChong,LiuYuemei,BianJiming,WangEnping,WangHui,ZhangDong.DepositionandcharacteristicsofGaNfilmsonNimetalsubstratebyECR-PEMOCVD，JournalofMaterialsScience:MaterialsinElectronics,2013,24（12）：5069-5074
[3]QinFuwen,ZhangDong,BaiYizhen,JuZhenhe,LiShuangmei,LiYucai,PangJiaqi,BianJiming.Depositionandpropertiesofhighlyc-orientedofInNfilmsonsapphiresubstrateswithECR-plasma-enhancedMOCVD，RareMetals，2012，31（2）：150-153。
[4]LiuYuemei,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,ZhaoYue,WangEnping,WangShuai,ZhongMiaomiao,JuZhenhe.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedGaNfilmsonCucoatedglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,JournalofCrystalGrowth,2013,368：92-96
[5]DuanZhongwei,QinFuwen,LinGuoqiang,BianJiming,ZhangDong,WangEnping.EffectoftemperatureonGaNfilmsdepositedongraphitesubstratesatlow-temperature，AppliedSurfaceScience,2013,280：909-913
[6]WangEnping,BianJiming,QinFuwen,ZhangDong,LiuYuemei,ZhaoYue,DuanZhongwei,WangShuai.EffectofTMGafluxonGaNfilmsdepositedonTicoatedonglasssubstratesatlowtemperature,ChineseScienceBulletin，2013，58（30）：3617-3623
[7]ZhaoYue,QinFuwen,BaiYizhen,JuZhenhe,ZhaoYan,ZhangXiaohui,LiShuangmei,ZhangDong,BianJiming,LiYang.LowtemperaturesynthesisofGaNfilmsonITOsubstratesby
ECR-PEMOCVD，Vacuum，2013，92：77-80
[8]LiuW.F.,LuoY.L.,SangY.C.,BianJ.M.,ZhaoY.,LiuY.H.,QinFuwen.AdjustedsurfaceworkfunctionofInNfilmsannealedatvacuumandathigh-pressureN-2conditions，Materials
Letters,2013,95：135-138。
[9]ZhangDong,QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD，DiamondandRelatedMaterials,2012,21：88-91
[10]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[11]ZhangDong，QinFuwen,BaiYizhen,BianJiming,LiShuai,PanLi,ZhiAnbo,LiuXinglong,JiangXin.EffectofbufferlayeronthestructuralandmorphologicalpropertiesofGaNfilmsgrownwithECR-PEMOCVD,DiamondandRelatedMaterials,2012,21（0）：88-91。
[12]ZhiAnbo,QinFuwen,ZhangDong,BianJiming,YuBo,ZhouZhifeng,JiangXin.Low-temperaturegrowthofhighlyc-orientedInNfilmsonglasssubstrateswithECR-PEMOCVD,Vacuum,2012,86（8）：1102-1106
[13]LiuBingbing,WangDejun,QinFuwen.EnhancedTiC-SiCOhmiccontactsbyECRhydrogenplasmapretreatmentandlow-temperaturepost-annealing,AppliedSurfaceScience,2015,355（20）：59-63
[14]Zhong,M.M.,QinFuwen,LiuY.M.,WangC.,BianJ.M.,WangE.P.,WangH.,ZhangD.,Low-temperaturegrowthofhighc-orientatedcrystallineGaNfilmsonamorphousNi/glasssubstrateswithECR-PEMOCVD，JournalofAlloysandCompounds，2014，583：39-42
[15]ZhuQiaozhi,QinFuwen,LiWenbo，WangDejun.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterfacewithelectroncyclotronresonancemicrowavenitrogenplasmapost-oxidationannealing,PhysicaB:CondensedMatter,2014,432：89-95
授權發明專利
[1]秦福文，林國強，劉勤華，金屬基片垂直GaN基LED芯片及其制備方法，2014.12.17，中國，ZL201210247142.9。
[2]秦福文，林國強，劉勤華，采用金屬基片制備垂直GaN基LED芯片的設備，2014.12.17，中國，ZL201210247144.8。

[教育背景]
2013.4-2016.1香港科技大學土木工程博士后2009.3-2012.3香港理工大學土木與環境工程博士2006.9-2008.12哈爾濱工業大學結構工程碩士2002.9-2006.7東北農業大學水利水電工程學士1998.9-2002.7安丘市第四中學

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