湖南大學電氣與信息工程學院導師：王俊

發布時間：2021-11-20 編輯：考研派小莉推薦訪問：

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湖南大學電氣與信息工程學院導師：王俊正文

[導師姓名]
王俊

[所屬院校]
湖南大學

[基本信息]
導師姓名：王俊
性別：
人氣指數：1926
所屬院校：湖南大學
所屬院系：電氣與信息工程學院
職稱：教授
導師類型：博導
招生專業：

[通訊方式]
電子郵件：junwang@hnu.edu.cn

[個人簡述]
王俊，男，漢族，1979年7月出生于湖北省黃岡市，湖南大學電氣與信息工程學院教授、博士生導師。

[科研工作]
1. L. iao, J. Wang, S. Tang, Z. Shuai, X. Yin, J. Shen, A New Proportional Base Drive Technique for SiC Bipolar Junction Transistor, IEEE Transactions on Power Electronics, 2016.2. 唐賽，王俊，沈征，劉江。新型碳化硅雙極結型晶體管自適應驅動電路，電力電子技術，2016, 50（6）.3. J. Wang, S. Xu, J. Korec, “Power MOSFET with Integrated Gate Resistor and Diode-Connected MOSFET”, United States Patent 8614480.4. J. Korec, S. Xu, J. Wang, B. Yang, “Capacitors and Methods of Forming”, United States Patent 8722503.5. Y. Du, J. Wang, G. Wang, A. Q. Huang, "Modeling of the High-Frequency Rectifier With 10-kV SiC JBS Diodes in High-Voltage Series Resonant Type DC-DC Converters", IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, no. 8, August 2014, pp.4288-4300. 6. B. Yang, J. Wang, S. Xu, J. Korec, Z. Shen, "Advanced Low-Voltage Power MOSFET Technology for Power Supply in Package Applications", IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 28, no. 9, September 2013, pp.4202-4215. 7. J. Wang, A. Q. Huang, W. Sung, Y. Liu, B. J. Baliga, “Smart grid technologies,” IEEE Industrial Electronics Magazine, vol. 2, no. 2, Jun. 2009, pp. 16-23. 8. J. Wang, A. Q. Huang, “Design and Characterization of High Voltage Silicon Carbide Emitter Turn-off Thyristor (SiC ETO),” IEEE Transaction on Power Electronics, vol. 24, no. 5, May 2009, pp. 1189-1197. 9. J. Wang, T. Zhao, A. Q. Huang, R. Callanan, A. Agarwal, “Characterization, Modeling and Application of 10 kV SiC MOSFET,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, no. 8, pp. 1798-1806, Aug. 2008. 10. J. Wang, A. Q. Huang, S. Atcitty, I. Gyuk, “Silicon Carbide Emitter Turn-off Thyristor (SiC ETO),” International Journal of Power Management Electronics, Volume 2008, Article ID 891027, 5 pages, 2008.11. J. Wang, J. Li, T. Zhao, A. Q. Huang, R. Callanan, F. Husna, A. Agarwal, “10 kV SiC MOSFET Based Boost Converter,” IEEE Transaction on Industry Applications, vol. 45, no. 6, pp. 2056-2063, September, 2009. 12. J. Wang, D. Zhao, Y. Sun, Wang, S. Zhang, H. Yang, S. Zhou and M. Wu, “Thermal annealing behavior of Pt on n-GaN Schottky contacts,” JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, Vol. 36, 2003, pp. 1018-1022. 13. J. Wang, D. Zhao, Z. Liu, G. Feng, J. Zhu, X. Shen, B. Zhang and H. Yang, “Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on GaN,” Science in China (Series G), Vol. 46, No. 2, 2003, pp. 198-203.14. Q. Zhang, J. Wang, A. Agarwal, J. Palmour, A. Q. Huang, et al., “Design and Characterization of High Voltage 4H-SiC p-IGBTs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 55, No. 8, Aug. 2008, pp. 1912-1919.

[教育背景]
1996.9—2000.7 中國華中科技大學電子科學與技術系學士；
2000.9—2003.7 中國中國科學院半導體研究所固體電與微電子學專業碩士；
2003.8—2005.5 美國南卡羅萊納大學電子工程專業碩士；
2005.6—2009.12 美國北卡羅萊納州立大學電子工程專業博士。 以上老師的信息來源于學校網站，如有更新或錯誤，請聯系我們進行更新或刪除，聯系方式

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