浙江工業大學化學工程與材料學院導師：胡曉君 正文

　　姓名：胡曉君
　　學歷/職稱：教授
　　所在崗位：碩導
　　聯系方式：0571-88320392
　　研究領域：先進薄膜材料（金剛石薄膜的制備、摻雜和光電性能）

　　教育經歷：
　　1992/09～1996/07 大連鐵道學院材料科學與工程系獲學士學位
　　1996/09～1999/07 沈陽農業大學機械工程系獲碩士學位
　　1999/09～2004/01 上海交通大學材料科學與工程學院獲博士學位

　　工作簡歷：
　　2004/05～2006/09 浙江工業大學化學工程與材料學院講師
　　2006/09～2011/09 浙江工業大學化學工程與材料學院副教授
　　2007/03～2008/09 香港城市大學博士后研究（Research Fellow）
　　2011/09~至今 浙江工業大學化學工程與材料學院教授

　　學校及社會兼職：
　　材料系實驗室主任
　　中國材料研究學會會員

　　教學工作：
　　長期擔任本科生的重要專業基礎課《材料科學基礎》的主講教師，擔任《化學化工軟件》和《計算機在材料科學中的應用》等課程的主講教師，取得了良好的教學效果。2006年獲得學院青年教師講課比賽一等獎。
　　長期主講研究生課程《金屬學原理》，根據研究生學習的特點，在課堂教學中，開展討論式教學，將學科前沿研究進展與教學內容相聯系，將研究思路與教學內容相聯系，將研究方法與教學內容相聯系，在深化學生專業基礎知識的同時，對其研究思路和研究方法進行引導，為研究生進入課題研究奠定基礎。
　　指導學生開展課外科技活動，通過完成課外科技活動項目，培養學生發現問題、分析問題和解決問題的能力；培養他們的書面和口頭表達能力。指導本科生申報和完成了國家級大學生創新實驗計劃項目、校級大學生創新實驗計劃項目和校運河杯科技項目等。
　　為研究生培養搭建了良好的項目平臺和研究氛圍。對研究生嚴格要求，精心指導，致力于全面提高研究生的專業素質和綜合能力，為高科技產業輸送人才。近年來培養的碩士生獲得省級優秀畢業生、校級優秀畢業生、校級優秀碩士論文、校級運河杯課外科技競賽二等獎等榮譽稱號。

　　承擔的科研項目：
　　2010.1-2012.12 國家自然科學基金面上項目：磷離子注入制備高電導率n型納米金剛石薄膜的研究（項目負責人，50972129，35萬元）
　　2012.1-2013.12 國家自然科學基金委-中俄合作交流項目（NSFC-RFBR）：磷離子注入納米及微晶CVD金剛石薄膜的制備、微結構和電學性能研究（項目負責人，51211120188，9 萬元）
　　2007.01-2009.12 國家自然科學基金青年基金項目：氧離子注入制備高質量低電阻率n 型金剛石薄膜的研究（項目負責人，50602039，24 萬元，已結題）
　　2010.01-2012.12 浙江省錢江人才計劃項目：高催化活性納米硼摻雜金剛石薄膜電極的制備 （項目負責人，2010R10026，10萬元）
　　2010.01-2011.12 留學回國人員科技活動項目擇優資助：硼氧共摻雜n型金剛石薄膜的微結構與電學性能研究（項目負責人，1萬元）
　　2006.01～2007.12 浙江省教育廳資助項目“氧離子注入金剛石薄膜的電學性質研究”（項目負責人，D1015227，1.5 萬元，已結題）
　　2013年入選浙江省中青年學術帶頭人。
　　2006 年12 月獲浙江省科協“育才工程”資助。
　　2005 年列入“浙江省151 人才工程”第三層次。
　　2004 年被評為浙江工業大學首批青年學術骨干。

　　主要論文目錄：
　　1．X.J. Hu*, X. H. Chen, and J. S. Ye, The roles of hydrogen in the diamond/amorphous carbon phase transitions of oxygen ion implanted ultrananocrystalline diamond films at different annealing temperatures, AIP Advances 2, 2012, 042109
　　2．X.J. Hu*, J. S. Ye, H. Hu, X. H. Chen, Y. G. Shen, Phosphorus ion implantation and annealing induced n-type conductivity and microstructure evolution in ultrananocrystalline diamond films, Appl. Phys. Lett. 99, 2011, 131902
　　3．X.J.Hu*, J.S. Ye, H.J. Liu, Y.G. Shen, X.H. Chen, H. Hu, n-type conductivity and phase transition in ultrananocrystalline diamond films by oxygen ion implantation and annealing, J. Appl. Phys. 109, 2011, 053524
　　4．X.J. Hu, Y.G. Shen, The roles of grain boundary and interfacial energies in the grain growth of nanocomposite films, Appl. Phys. Lett, 94, 2009, 093111 (IF: 3.977) (入選“The American Institute of Physics”和“The American Physical Society”聯合出版的雜志：Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 19(11), 2009.)
　　5．X.J. Hu, Z.J. Liu, Y.G. Shen, Mechanisms of amorphous-phase-dependent grain growth in two-phase nanocomposite films: A Monte Carlo analysis, Appl. Phys. Lett, 92, 2008, 021910 (IF: 3.977) (入選“The American Institute of Physics”和“The American Physical Society”聯合出版的雜志：Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, 17(5), 2008.)
　　6．X.J. Hu, J.S. Ye, S. Mariazzi, R.S. Brusa, A Positron annihilation study on the defect properties of doped diamond films, Thin Solid Films, 516, 2008, 1699-1702 (IF: 1.666)
　　7．X.J. Hu, R.B. Li, H.S. Shen, Y.B. Dai, X.C. He, The electrical and structural properties of boron and phosphorus co-doped diamond films, Carbon, 42 (8-9), 2004, 1501-1506 (IF: 3.120)
　　8．X.J. Hu*, J.S. Ye, H.J. Liu, H. Hu, X.H. Chen, The influences of oxygen ion implantation on the structural and electrical properties of B-doped diamond films, Diamond and Related Materials, 20, 2011, 246-249
　　9．X.J. Hu, Y.G. Shen, X.P. Hao, B.Y. Wang, The structural properties of B-O codoped diamond films, Diamond & Related Materials, 18, 2009, 210 (IF:1.788)
　　10．X.J. Hu, Y.H. Lu, Y.G. Shen, The grain size distribution in nanocomposite films, Solid State Communications, 149, 2009, 903. (IF:1.66)
　　11．X.J. Hu, J.S. Ye, Q.S. Lu, G.Q. Zheng The structural properties of O and B-O ion implanted diamond films, The society of photo-optical instrumentation engineering (SPIE), 6984, 2008, 69840Q （ISTP）
　　12．X.J. Hu, J.S. Ye, G.Q. Zheng, H.Z. Cao, H.C. Tan, The influences of oxygen ion implantation on the electrical and structural properties of diamond films, Chinese Physics 15(9), 2006, 2170-2174, (IF:1.497)
　　13．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, A molecular dynamics simulation on the structural properties of Band N co-existed in diamond, Physica B, 367, 2005, 86-91 (IF:0.908)
　　14．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, X.C. He, Molecular dynamics simulation on boron diffusion in diamond, Solid State Communications,132(8), 557-560, 2004 (IF:1.602)
　　15．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, A molecular dynamics study of interstitial boron in diamond, Physica B, 327, 2003, 39-42 (IF: 0.908)
　　16．X.J. Hu, Y.B. Dai, H.S. Shen, Z.M. Zhang, R.B. Li, X.C. He, The diffusion of vacancy near a diamond (001) surface, Solid State Communications, 122, 2002, 45-48 (IF: 1.602)

　　專利：
　　1．胡曉君，一種n型納米金剛石薄膜及制備方法，中華人民共和國國家知識產權局，申請號：ZL200910155306.3，中國，2009/12/16.已授權。
　　2．胡曉君*，劉會君，一種硼摻雜納米金剛石薄膜及制備方法，專利申請號：201010295654.3
　　3．胡曉君，一種高遷移率n型納米金剛石薄膜及制備方法，申請號：201210594869.4，申請日：2012年12月31日

　　*如果發現導師信息存在錯誤或者偏差，歡迎隨時與我們聯系，以便進行更新完善。

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