2021哈爾濱理工大學半導體物理研究生考試大綱 正文

半導體物理

適用專業(yè)名稱：電子信息類（0854）集成電路工程方向

參考書目：

《半導體物理學》劉恩科 朱秉升 羅晉生 電子工業(yè)出版社2011 第七版

一、 考試目的與要求

考察考生對半導體物理的基本概念、基本原理和基本方法的掌握程度和利用基礎知識解決電子科學與技術相關問題的能力。要求考生對半導體物理的基本概念有較深入的了解，能夠系統(tǒng)地掌握半導體物理中基本定律的推導、證明和應用，并具有綜合運用所學知識分析問題和解決問題的能力。
 

二、 試卷結構（滿分100分）

半導體物理     100分
     題型比例：
     1．名詞解釋     約20分
     2．簡答題       約40分
     3．計算題       約40分

三、考試內容與要求

（一）半導體的晶格結構和電子狀態(tài)
考試內容
半導體的晶格結構和結合性質，半導體中的電子狀態(tài)和能帶，半導體中的電子運動和有效質量，本征半導體的導電機構，空穴，硅和鍺及III－V族化合物半導體的能帶結構。
考試要求
1．了解半導體的晶格結構和結合性質的基本概念。
2．理解半導體中的電子狀態(tài)和能帶的基本概念。
3．掌握半導體中的電子運動規(guī)律，理解有效質量的意義。
4．理解本征半導體的導電機構，理解空穴的概念。
5．理解硅和鍺的能帶結構，掌握有效質量的計算方法。
6．了解III－V族化合物半導體的能帶結構。
 
（二）半導體中雜質和缺陷能級
考試內容
半導硅、鍺晶體中的雜質能級。
考試要求
1．理解替位式雜質、間隙式雜質、施主雜質、施主能級、受主雜質、受主能級的概念。
2．簡單計算淺能級雜質電離能。
3．了解雜質的補償作用、深能級雜質的概念。
 
（三）半導體中載流子的統(tǒng)計分布
考試內容
狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質半導體的載流子濃度，一般情況下的載流子統(tǒng)計分布，簡并半導體。
考試要求
1．理解并熟練掌握狀態(tài)密度的概念和表示方法。
2．理解并熟練掌握費米能級和載流子的統(tǒng)計分布。
3．理解并熟練掌握本征半導體的載流子濃度的概念和表示方法。
4．理解并熟練掌握雜質半導體的載流子濃度的概念和表示方法。
5．理解并掌握一般情況下的載流子統(tǒng)計分布。
6．理解并熟練掌握簡并半導體的概念，簡并半導體的載流子濃度的表示方法，簡并化條件。了解禁帶變窄效應。
 
（四）半導體的導電性
考試內容
載流子的漂移運動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質濃度和溫度的關系，電阻率及其與雜質濃度和溫度的關系，強電場下的效應，熱載流子。
考試要求
1．理解遷移率的概念。并熟練掌握載流子的漂移運動。
2．理解載流子的散射的概念。

哈爾濱理工大學

添加哈爾濱理工大學學姐微信，或微信搜索公眾號“考研派小站”，關注[考研派小站]微信公眾號，在考研派小站微信號輸入[哈爾濱理工大學考研分數(shù)線、哈爾濱理工大學報錄比、哈爾濱理工大學考研群、哈爾濱理工大學學姐微信、哈爾濱理工大學考研真題、哈爾濱理工大學專業(yè)目錄、哈爾濱理工大學排名、哈爾濱理工大學保研、哈爾濱理工大學公眾號、哈爾濱理工大學研究生招生）]即可在手機上查看相對應哈爾濱理工大學考研信息或資源。