中山大學理工學院導師：劉揚 正文

　　姓名：劉揚　 性別：男　　出生年月：1969年8月　
　　職稱：教授　　學院：理工學院　 最后學歷：博士
　　主要研究方向：寬禁帶III-V族氮化物半導體材料與器件

教學科研情況

1991年、1994年和2000年于吉林大學電子科學與工程學院微電子學和固體電子學專業分別獲得學士、碩士和博士學位。主要從事寬譜高功率1.55微米量子阱InGaAsP/InP集成超輻射光源的研制的研究工作。

1994年9月至2001年10月，吉林大學通信工程學院，助教、講師。從事光通信教學和科研工作。

2001年11月至2007年4月在日本名古屋工業大學納米器件與系統研究中心訪問研究，主要從事GaN基材料的MOCVD法生長以及它在發光器件和電子器件方面的應用研究。

2007年5月至今，中山大學，教授。

教學課程: 《半導體物理》《半導體光電器件》

承擔課題

中山大學百人計劃引進人才研究項目

中山大學后備重點課題項目

發表論文

1.Y. Liu, T. Egawa, and H. Jiang “Enhancement-mode quaternary AlInGaN/GaN HEMT with non-recessed-gate on sapphire substrate” Electronics Letters, Vol.42, pp.884 (2006.07)

2.Yang Liu, Takashi Egawa, Hao Jiang, Baijun Zhang and Hiroyasu Ishikawa “Novel Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors on Sapphire Substrate” Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, pp.5728 (2006.07)

3.Y. Liu, H. Jiang, T. Egawa, B. Zhang, and H. Ishikawa “Al composition dependent properties of quaternary AlInGaN Schottky diodes” Journal of Applied Physics, Vol. 99, pp.123702 (2006.06)

4.H. Jiang, T. Egawa, M. Hao, Y. Liu “Reduction of threading dislocations in AlGaN layers grown on AlN/sapphire templates using high-temperature GaN interlayer”, Applied Physics Letters, Vol. 87, pp.241911 (2005.12)

5.Y. Liu, H. Jiang, S. Arulkumaran, T. Egawa, B. Zhang and H. Ishikawa “Demonstration of undoped quaternary AlInGaN/GaN heterostructure field-effect transistor”, Applied Physics Letters, Vol.86, pp.223510 (2005.05).

6.Baijun Zhang, Takashi Egawa, Hiroyasu Ishikawa, Yang Liu, and Takashi Jimbo “Thin-film InGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes transferred from Si (111) substrate onto copper carrier by selective lift-off”, Applied Physics Letters, Vol. 86, No.7, pp.071113 (2005.02).
 

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