華南理工大學大學電子與信息學院導師:姚若河

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華南理工大學大學電子與信息學院導師:姚若河 正文
姓名:姚若河 性別:男 職稱:教授
學院:電子與信息學院 最后學歷:博士
主要研究方向:集成電路設計與系統集成;半導體材料及器件;微/納電子器件模型研究
姚若河,男,中共黨員,博士,教授,博士研究生導師。1982年1月畢業于中山大學無線電物理專業。曾先后在電子工業部桂林電子工業學院、清華大學、北方交通大學和汕頭大學工作和學習。多次應邀到香港大學、香港理工大學進行學術訪問研究。現任全國信息與電子學科研究生教育委員會理事、廣東省物理學會常務理事、廣東省電子學會常務理事、廣東省半導體與集成技術專業學會副主任。現任華南理工大學電子與信息學院副院長、微電子研究所副所長。先后主講模擬電子技術、高頻電子線路、電子線路的CAD、微機原理及應用、數字信號處理、計算微電子學和集成電路設計方法學等本科和研究生課程。已招收培養博士研究生10多名,碩士研究生80多名,在所指導的研究生中,曾獲全國大學生“挑戰杯”特等獎,廣東省南粵優秀研究生,廣東省優秀博士學位論文,廣東省優秀碩士學位論文等獎勵。先后主持國家自然科學基金、廣東省重大科技項目、廣東省自然科學基金等科研項目10多項,作為核心成員參加國家自然科學基金、國家“973” 項目等9項。獲省部級科研獎8項。2001年獲廣東省南粵優秀教師獎。已發表論文100多篇,其中被SCI、EI、ISTP檢索60多次。申請專利8項(已授權5項)。目前的研究領域包括集成電路系統設計及制造、計算微電子學和新型光電器件及物理等。
近年來研究生發表的部分論文:
1、 Z.P. Bian, R.H. Yao, et.al. Low-Voltage Class-AB CMOS Output Stage with Tunable Quiescent Current. IEICE Trans. Electron. 2010,93(5):1375-1376
2、 J.W.Chen, R.H.Yao. Efficient Modulo 2n+1 Multipliers for Diminished-1 Representation. IET Circuits Devices Syst. 2010,4(4):291-300
3、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al. A new analytical threshold voltage model for the doped polysilicon thin-film transistors. Solid-State Electronics,2009,53(6):607-612
4、 X. Yi, X. Chen, R. Yao, Frequency-adjustable clock oscillator based on frequency-to-voltage converter. Electronic Letters, 2009, 45(11):530-531
5、 W. J. Wu, R. H. Yao. A Simple Modeling of DIGBL Effect for Polysilicon Films and Polysilicon Thin-Film Transistors. IEEE. Electron Devices Letters,2008,29(10):1128-1131
6、 Y. Liu,R. H. Yao,et.al. A physical model with the effects of self-heating and variable resistance in above-threshold region for hydrogenated amorphous silicon thin film transistor. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2008, 47( 6): 4436-4440
7、 X. Y. Duan,Y. J. Zhao ,R. H. Yao. Pushing p-type conductivity in ZnO by (Zr,N) codoping: A first-principles study. Solid State Communications, 2008,147(5-6):194-197
8、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al.. A physical model of floating body effects in polysilicon thin film transistors. Solid-State Electronics,2008,52(6):930-936
9、 Y. Lu,R. H. Yao. Low-voltage constant-gm rail-to-rail CMOS operational amplifier input stage. Solid-State Electronics,2008,52(6):957-961
10、 X. Y. Duan,R. H. Yao, et.al. The mechanism of Li, N dual-acceptor co-doped p-type ZnO. Applied Physics A,2008,91(3):467-472
11、 Y. Liu,R. H. Yao,et.al. An analytical model based on surface potential for a-Si:H thin film transistor. IEEE J. Display Technology,2008,4(2):181-187
12、 W. J.Wu, R. H. Yao, et.al.. A Compact Model for Poly-silicon TFTs Leakage Current including Poole-Frenkel Effect. IEEE Trans. Electron Devices,2007,54(11):2975-2983
13、 W.J. Wu, R.H. Yao, et.al. A new extraction method of poly-Si TFT model parameters in the leakage region. Solid-State Electronics,2007,51(5):778-783
14、 何貴平,張弜,姚若河. Er3+和Ce3+/ Ce4+摻雜?- BaB2O4納米棒的制備、結構與發光性質. 物理化學學報.2010,26(3):685-690
15、 姚若河 陳中盟. 抗諧波鎖定的延時鎖相環. 華南理工大學學報(自然科學版),2010, 38( 9 ):1-6
16、 許佳雄,姚若河,耿魁偉. 用Lambert W函數求解太陽能電池的串聯電阻. 華南理工大學學報(自然科學版),2010, 38( 6 ):42-45
17、 姚若河,歐秀平. 多晶硅薄膜晶體管的有效遷移率模型. 華南理工大學學報(自然科學版),2010, 38( 5 ):61-64
18、 陳建文, 姚若河. 高效的五基數剩余數至二進制數轉換器設計. 華南理工大學學報(自然科學版),2010, 38( 5 ):55-60
19、 姚若河,歐秀平. 低摻雜多晶硅薄膜晶體管閾值電壓的修正模型. 華南理工大學學報(自然科學版),2010, 38( 1 ):14-17
20、 侯通賢,姚若河,林曉玲. 偽通孔對銅互連應力誘生空洞的影響. 微電子學,2010,40(2):295-299
21、 陳中盟,姚若河. 分段式電流舵D/ A轉換器抗dL/ dt噪聲設計. 微電子學,2010,40(1):1-5
22、 侯通賢,林曉玲,姚若河. 互連寬度對銅互連應力可靠性的影響. 微電子學,2010,40(1):122-125
23、 易翔, 姚若河,一種基于頻率/電壓變換器的高精度時鐘振蕩器,微電子學,2009,39(3):344-347
24、 鐘金廣,姚若河,侯識華,基于非均勻高斯函數的無刷直流電動機模糊控制,微特電機,2009,(7):41-44
25、 林曉玲,姚若河,等. SiGe HBT的熱載流子效應評價. 華南理工大學學報(自然科學版),2009, 37( 5 ):23-26
26、 劉遠,姚若河,李斌. 非晶硅薄膜晶體管中不飽和輸出電流的數值仿真. 華南理工大學學報(自然科學版),2009, 37( 1):15-18
27、 鄒芯遙,姚若河. 支持向量機在小子樣IC可靠性評估中的應用. 華南理工大學學報(自然科學版),2009, 37( 1):23-26
28、 歐秀平,姚若河,吳為敬. 多晶硅薄膜晶體管中的晶粒間界電荷分享效應,微電子學,2008,38(6):796-799
29、 李文冠,姚若河,郭麗芳. 一種2V、9μA、15×10-6/oC高電源抑制CMOS帶隙電壓基準源,電子器件,2008,31(5):1490-1494
30、 路延,姚若河. 一種低電壓恒定跨導Rail-to-Rail的CMOS運放輸入級,電子器件,2008,31(5):1479-1482
31、 劉瑤,姚若河,等. ESD保護器件GGNMOS二次擊穿前的建模,微電子學,2008,38(5):647-651
32、 路香香,羅宏偉,姚若河 等,Esn應力下的擴散電阻及模型擊穿特性,微電子學,2008,38(4):469-472
33、 鄒芯遙,姚若河. 小子樣統計理論及IC可靠性評估. 控制與決策,2008,23(3):241-245
34、 路香香,姚若河,羅宏偉,ESD應力下的NMOSFET模型. 微電子學,2007,37(6):842-847
35、 林曉玲,孔學東,姚若河 等. SiGeHBT器件的可靠性技術. 微電子學,2007,37(2):210-213
華南理工大學
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