何斌 副教授

個人介紹：

何斌，副教授，深圳市海外高層次人才（C類）。2008年獲北京工業大學材料物理與化學博士學位。2006-2016年于香港城市大學先后任研究助理、副研究員、研究員，2016-2017年任南方科技大學副研究員。1998-2001年曾任中石化勝利油建工程公司助理工程師。2018年2月加入深圳技術大學任副教授。主持及參與承擔科研項目10余項，發表論文30余篇，撰寫英文專著章節2篇，申請國家發明專利2項。研究方向包括薄膜技術、金剛石及相關材料、納米結構與應用。

教育背景：

2002.09-2008.06    北京工業大學材料學院，材料物理與化學，博士（碩博連讀）

1994.09-1998.06    中國石油大學（華東）機電學院，材料加工與自動化，學士

工作經歷：

2018.02-至今      深圳技術大學，新材料與新能源學院，副教授

2016.10-2018.01    南方科技大學，前沿與交叉科學研究院，研究副教授

2006.02-2016.09    香港城市大學，物理與材料科學系，研究助理、副研究員、研究員

1998.07-2001.10    中石化勝利油建工程有限公司，助理工程師、技術員

主要榮譽：

• 2017年入選深圳市海外高層次人才（C類）

研究方向：

1.薄膜技術

2.金剛石及相關材料

3.納米結構與應用

科研項目：

1.寬帶隙半導體立方氮化硼的外延生長及其功率器件應用研究，深圳市基礎研究項目（自由探索），項目負責人，2018.03－2020.03

2.CVD單晶金剛石在超精密加工刀具上的應用研究，高端人才啟動項目，項目負責人，2018.05-2021.04

3.精密加工刀具用高質量單晶金剛石的合成與應用，校企合作項目，項目負責人，2018.09-2020.08

4.二維過渡金屬羥基氧化物納米材料的可控制備及其在電催化分解水中的應用，國家基金面上項目，參與, 2017.01-2020.12

5.硅納米線作為鋰離子電池負極材料的應用研究，深港合作項目，參與, 2016.02-2018.01

6.外延立方氮化硼薄膜的摻雜及高溫半導體特性研究，國家基金面上項目，參與，2012.01-2015.12

7.Synthesis of cubic boron nitride (cBN)/diamond composite coatings on Si3N4 tooling inserts and their applications in mechanical processing, Innovation and Technology Fund from ITC of Hong Kong, Co-I, Apr. 2015 - Sep. 2016.

代表論文：

1. Bin Liu, Bin He, Hui-Qing Peng, Yufei Zhao, Junye Cheng, Jing Xia, Jianhua Shen, Tsz-Wai Ng, Xiangmin Meng, Chun-Sing Lee, Wenjun Zhang, Unconventional nickel nitride enriched with nitrogen vacancies as a high-efficiency electrocatalyst for hydrogen evolution, Advanced Science, 5, 1800406 (2018).

2. Y. Zou, W. Zhang, X. Li, M. Ma, X. Li, C. Wang, B. He, S. wang, Z. Chen, Y. Zhao, B. Li, Pressure-induced anomalies and structural instability in compressed β-Sb2O3, Physical Chemistry Chemical Physics, 20, 11430 (2018).

3. B. He, T.-W. Ng, M.-F. Lo, C.-S. Lee, W.J. Zhang, Surface transfer doping of cubic boron nitride films by MoO3and F4-TCNQ, ACS Applied Materials & Interfaces, 7, 9851−9857 (2015).

4. B. He, M. Qiu, M.F. Yuen, W.J. Zhang, Electrical properties and electronic structure of Si-implanted hexagonal boron nitride films, Applied Physics Letters, 105, 012104 (2014).

5. F. Xu, M.F. Yuen, B. He, C.D. Wang, X.R. Zhao, X.L. Tang, D.W. Zuo, W.J. Zhang, Microstructure and tribological properties of cubic boron nitride films on Si3N4inserts via boron-doped diamond buffer layers, Diamond and Related Materials, 49, 9-13 (2014).

6. B. He, Y. Yang, M.F. Yuen, X.F. Chen, C.S. Lee, W.J. Zhang, Vertical nanostructure arrays formed by plasma etching for applications in biology, energy and electronics, Nano Today, 8, 265-289 (2013).

7. Z.Q. Yao, B. He, L. Zhang, C.Q. Zhuang, T.W. Ng, S.L. Liu, M. Vogel, A. Kumar, W.J. Zhang, C.S. Lee, S.T. Lee, X. Jiang, Energy band engineering and controlled p-type conductivity of CuAlO2thin films by nonisovalent Cu-O alloying, Applied Physics Letters, 100, 062102 (2012).

8. Y.B. Zhou, B. He, Y. Yang, F. Wang, W.M. Liu, et al. Construct hierarchical superhydrophobic silicon surfaces by chemical etching, Journal of Nanoscience and Nantoechnology, 11, 2292-2297 (2011).

9. B. He, W.J. Zhang, Z.Q. Yao, Y.M. Chong, Y. Yang, Q. Ye, X.J. Pan, J.A. Zapien, I. Bello, S.T. Lee, I. Gerhards, H. Hofsäss, P-type conduction in beryllium-implanted hexagonal boron nitride films, Applied Physics Letters, 95, 252106 (2009).

10. B. He, W.J. Zhang, Y.S. Zou, Y.M. Chong, Q. Ye, A.L. Ji, Y. Yang, I. Bello, S.T. Lee, G.H. Chen, Electrical properties of Be-implanted polycrystalline cubic boron nitride films, Applied Physics Letters, 92, 102108 (2008).

專著章節：

1. Bin He, Wenjun Zhang, II-VI Semiconductors and Their Device Applications, in“Handbook of Chalcogen Chemistry: New Perspectives in Sulfur, Selenium and Tellurium”, Francesco Antonio Devillanova and Wolf-Walther du Mont (editors), 2nd Edition, Volume 2, pp.180-231, RSC publishing, 2013. ISBN: 9781849736244.

2. W. J. Zhang, Y. M. Chong, B. He, I. Bello, S. T. Lee, Cubic Boron Nitride Films: Properties and Applications. In“Comprehensive Hard Materials”, V.K. Sarin (Editor-in-Chief) & C.E. Nebel (Vol. Ed.), pp.607-639, Elsevier, 2014. ISBN: 9780080965277.

代表專利：

1. 何斌,張文軍.一種立方氮化硼涂層刀具及其制備方法.中國發明專利,公開號CN108396309A.

2. 鄧金祥,陳光華,何斌,等.立方氮化硼薄膜的p型摻雜方法.中國發明專利,專利號ZL200710178682.5.

聯系方式：

電子郵箱：[email protected]

添加深圳技術大學學姐微信，或微信搜索公眾號“考研派小站”，關注[考研派小站]微信公眾號，在考研派小站微信號輸入[深圳技術大學考研分數線、深圳技術大學報錄比、深圳技術大學考研群、深圳技術大學學姐微信、深圳技術大學考研真題、深圳技術大學專業目錄、深圳技術大學排名、深圳技術大學保研、深圳技術大學公眾號、深圳技術大學研究生招生）]即可在手機上查看相對應深圳技術大學考研信息或資源。